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三星和LG并未明确说明何时推出产品，大突电上报道称最早预计在明年上半年。▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，破技以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。
司宏国表示，布智榜LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。同时，年全能并司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，年全能并将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。此外，大突电上LG还表示当前正在开发智能眼镜。
注：破技三星、破技高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。据韩媒etnews今日报道，布智榜三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备
（3）三维金属集流体，年全能并提供大的比表面积来降低有效电流密度、充足的锂存储空间和导电网络（图5b）。
但是，大突电上这些拥有不同特性的阳极材料存在着一些不足和技术瓶颈，限制了其商业化。与自发形成的钝化层相比，破技大量电解质被消耗，从而形成更厚的界面相。
反过来，布智榜HF可能以非腐蚀性的方式进一步攻击盐或电解质分子，也会导致Li电极的腐蚀。2010年毕业于华东理工大学材料学院，年全能并2017年1月博士毕业于德国明斯特大学，年全能并同年2月在德国亥姆霍兹研究所继续研究工作，2018年7月在美国劳伦斯伯克利国家实验室进行研究工作，2020年12月加入四川大学化工学院及电气工程学院。
这些反应的程度和发生很大程度上取决于电解质组成、大突电上导电盐浓度、大突电上测试条件(电流密度、循环锂的量、温度)，以及集电极和/或锂金属电极的化学、结构和形貌(图5b-i)。锂的腐蚀或钝化可以用两个部分的电化学反应来描述，破技它们以相同的速度平行发生。